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Si1050X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.16
0.12
0.0 8
0.04
0.00
I D = 1.34 A
T A = 125 °C
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
0
1
2
3
4
5
0.9
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
5.0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
R DS(on) vs V GS vs Temperature
0. 8
4.0
0.7
I D = 250 μ A
0.6
3.0
0.5
2.0
0.4
0.3
1.0
0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
Limited b y R DS(on) *
1
1 ms
10 ms
100 ms
1s
Time (s)
Single Pulse Power
0.1
10 s
DC
0.01
T A = 25 °C
0.001
Single P u lse
BVDSS Limited
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73896
S10-2544-Rev. D, 08-Nov-10
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